每天，我们只需要对终端机的机械设备进行全面检查和清理，然后再进行工作，就可以防止大多数故障的发生。操作前的检查和清洁非常重要。如果一个部件发生故障，将影响其他部件的正常运行，并使故障更加严重。因此，如果发现异常，则需要及时进行大修。这样可以减少由于终端机的机器设备故障而导致的正常生产的影响或其他不必要的损失。

1、故障：终端机的电线的切割长度不一致

原因a：送丝轮太紧或太松；

对策：用滚丝轮的微调件调节两个轮子之间的间隙，以使电线不会变平或太松或太滑。原因b：矫直机太紧或太松；

对策：调整矫直机的原理是要具有矫直效果，并能平稳地送出。

原因c：切削刃磨损或切削刃；

对策：更换新刀具。

2、故障：终端机的剥离口长度不同；

原因一：送丝轮太紧或太松；

对策：用滚丝轮的微调件调节两个轮子之间的间隙，以使电线不会变平或太松或太滑。

原因b：切割和剥皮刀切割得太浅或太深；

对策：用切刀深度调节片将刀刃调节到合适的位置，并且切勿损坏铜线并平稳地从橡胶上掉下来。

原因c：切割和剥皮刀已磨损或切割刃；

对策：更换新的刀片。

3、故障：压接端子上的铜线不均匀；

原因和对策：

a。检查枪形摆臂导管是否已连接到导线上；

b。用摆臂导管检查终端机的刀刃是否相??对笔直；

c。检查终端机的辅助夹是否松动；

d。检查终端机和自动机之间的距离是否已更改。

4、失败：操作期间无法启动或停止终端机；

原因和对策：

a。检查电流输入（220V）和6KG气压；

b。检查是否已达到设定的总数量，如果已到达，请重新设置并在断电后重新启动；

c。检查终端机中是否有无线材料或某个操作部件是否卡住；

d。检查终端机上是否有信号连接或电源连接，以确保终端机不压接。

之前，有报道称三星电子在扩大晶圆代工市场方面发挥了作用，并打算购买EUV（极端紫外线）设备，从而使台积电（233 0)）无法购买。来自韩国的三星表示，三星购买的EUV不仅用于晶圆代工，而且还用于内存，计划在2019年初率先在业界领先并批量生产10nm DRAM。

韩国媒体BusinessKorea 29日报道，业内人士表示，三星正考虑在韩国华城工厂建造一条专门用于EUV设备的DRAM生产线。施工将于下个月尽快开始。它计划于2019年推出，并将使用最初的10纳米技术生产DRAM。 ，业内首创。根据韩国ETNews的报告，位于大韩民国华城的Line17工厂预计将投资2. 5万亿至3万亿韩元，约合22-2 6. 4亿美元。以300mm晶圆为基础，扩建后的月产能将增加3. 50,000晶圆全自动端子机，目前的产能约为40,000晶圆/月。

目前，工业上大多数使用ArF浸没工艺来生产DRAM。减小线宽是有极限的，并且很难将DRAM工艺缩小到10纳米。预计EUV将解决此问题并实现DRAM的10纳米工艺。与NANDFlash不同，DRAM单元具有一个晶体管和一个电容器。当工艺降低到10纳米时，线宽是如此之小，以至于很难将电容器直接堆叠在顶部。三星使用四重图案技术（QPT）技术，以更改10纳米存储单元的结构，以便有足够的空间供晶体管和电容器连接。

熟悉三星电子的观察家说，EUV主要用于7纳米晶圆代工厂，但有些可以用于生产DRAM。问题在于10纳米晶圆的生产速度很慢，三星能否获利仍然未知。三星有望安装4至8台EUV设备。

专家预测，尽管存在EUV的缺点，三星仍将考虑使用EUV生产10纳米DRAM，从而扩大与竞争对手的差距并保持市场主导地位。在今年第三季度，三星在移动设备和服务器DRAM中的市场份额分别增长到5 8. 3％和4 5. 9％。

NikkeiAsianReview和BusinessKorea在5月报道称，三星是DRAM的领导者，其制造工艺比竞争对手领先一到两年。它将在2016年下半年首次量产18nm DRAM全自动端子机，并计划在今年下半年提高到15nm。

三星处于领先地位，第三大DRAM制造商美光正拼命追赶。该公司计划在未来两三年内花费20亿美元开发13纳米DRAM工艺。美光在日本广岛工厂增加了无尘室设备，并购买了许多高价生产设备。进入13纳米工艺后，同一块晶圆可以分为更多的芯片，生产率将提高20％。美光科技已于今年第一季度量产了18nm DRAM。

为什么DRAM的传输速度变慢？

电容问题已成为DRAM转移到10纳米以下工艺的技术难题。另一方面，存储器制造商在先前的DRAM崩溃中咬了咬牙，但他们仍然面临持续恶劣的市场环境。近年来，制造工艺的改进已逐渐变得缓慢，投资比例也大大降低了。当逻辑过程达到14/16纳米时，存储系统过程只有20纳米，并且逐渐进入18/16纳米。就代工三星而言，它有资本掌握内存市场中的技术转让。

三星，台积电和英特尔之间的逻辑工艺竞争已经开始争夺10纳米以下的工艺。因为存储系统过程比逻辑过程容易，所以台积电和三星通常使用SRAM和DRAM来训练他们的部队。从内存开始，当产量提高到一定水平时，然后导入逻辑乘积。

三星于2015年11月中旬发布了10纳米FinFETSRAM。三星在其处理技术方面处于领先地位。现在，DRAM工艺已一口气转移到了10纳米。这是不言而喻的。

TSMC还在2015年底的供应链管理论坛上透露，它已经成功生产了采用7纳米工艺的SRAM，并预测供应链合作伙伴可以开始为5纳米做准备。台积电和三星表示，预计下一场逻辑工艺竞赛也将如期进行。如前所述，10纳米工艺的批量生产将在2016年底左右完成，而英特尔首款10纳米CPU则将推迟到2017年下半年。 。不仅存储器系统过程竞争发生了重大变化，而且逻辑过程竞争也有望发生。